豆瓣的深（E-G）激光诱导原位制备B掺杂石墨烯。

本小节介绍了纳米晶的种类，评分合成工艺，表征手段，以及在热电领域中的多方面应用。图21 溶剂热法合成的铋掺杂碲化铅立方型纳米晶，夜食湿法化学工艺合成的铜锌锗硒三角型纳米晶，夜食以这些纳米晶为原材料进行烧结制备的多晶块体材料的热电性能，氧化钛纳米球以及其作为纳米夹杂相存在于CoSb3基填充型方钴矿多晶块体中，碲化锡纳米块以及其作为纳米夹杂相对α-镁银锑基多晶块体热电性能的提升，具有碲化铅纳米晶薄层的玻璃丝及其热电性能和器件性能。

图14 螺型位错基本概念，堂坛酸硅单晶中螺型位错的表征及其引起的晶格畸变和局部应力，堂坛酸基于螺型位错生长的理想砷化镓一维材料及其能带结构，利用原子力显微镜表征螺型位错驱动生长的二硒化锡，利用高分辨透射电镜表征磷化铟纳米线中的螺位错，基于多元醇溶液法合成的硒化铋微米片及其表面的螺型位错，具有螺型位错的铼掺杂n型二硒化钨的热电性能，以及计算预测具有高密集螺型位错的铋锑合金的热电优值。菜上要点10：能带工程某些点缺陷的形成能够明显地改变热电材料的能带结构和态密度。一般来说，豆瓣的深由于沿着某一方向的热电性能相对较高，豆瓣的深因此对于拥有各向异性的多晶材料而言，如何使材料更多地沿着高热电性能的取向制备成为了关注点。

要点15：评分热电材料中的晶界与晶粒细化晶界是二维界面的一种，也是多晶热电材料中最常见的二维晶体缺陷。本小节介绍了热电材料中纳米孔隙的基本概念，夜食理论计算得到的纳米孔隙对热电材料热导率的降低效果及对热电优值的提升效果，夜食纳米孔隙的表征和形成原理，以及其对材料实测热电性能的影响。

图11 利用扫描隧道显微镜来表征硒化锡热电块体表面的锡空位和硒空位，堂坛酸对应的电子定域函数图像，堂坛酸锡空位调控对硒化锡多晶块体材料热电性能的影响，利用球差矫正高分辨透射电镜表征硅化铼单晶中典型的硅空位、钛酸镧晶体中的双空位（镧和氧）、镧掺杂钛酸锶晶体中的镧/锶空位、化学气相沉积法制备的铋掺杂碲化锡中的线型锡空位，熔融法制备的多晶碲化锗中的线型锗空位及其造成的晶格畸变，溶剂热法制备的镉掺杂多晶硒化锡中的聚集型空位簇，二维单层硫化钼中的硫空位以及其产生的额外电子。

要点17：菜上热电材料中的堆垛层错和孪晶界面堆垛层错是热电材料中常见的二维晶格缺陷，可以描述为原子层的错排，是一种典型的低能量界面。引言在自然界中，豆瓣的深生物有机体在遭受外部侵害时能够启动特定的修复机制，以免自身功能丧失。

而相比之下，评分单一氢键或者共价结合的材料则展现出了较慢的愈合能力，证明多样化的氢键网络有助于改善材料的自愈合性能。如图6所示，夜食研究人员利用生物衍生的羧基纤维素纳米晶与环氧化天然橡胶构建了多重氢键作用的网络（图6）。

堂坛酸如White等人[4]报道了一种具有可自动愈合裂痕能力的结构聚合物材料。由于锌离子和配体之间的存在不稳定的配位作用，菜上因此赋予聚合物在室温条件下的快速自愈合能力。